Thời kỳ mới của truyền thông Nga: Nguyên liệu của Nga cho sợi quang – Hiện nay Krasnoyarsk đang dẫn đầu.
Ngày 21 tháng 7 năm 2025
Một chuỗi công ty công nghiệp đáng chú ý đã xuất hiện tại Nga. Rostec bao gồm công ty mẹ Schwapbe, công ty mẹ của Germanium, với các cơ sở sản xuất tại Krasnoyarsk. Các nhà khoa học tại công ty này đã nổi tiếng với một phát minh độc đáo. Họ đã tạo ra và tổ chức sản xuất công nghiệp germanium tetrachloride (GeC14) tinh khiết. Chất này được tạo ra từ GeO2, oxit được hòa tan trong HCl đậm đặc. Tetrachloride thu được được sử dụng để sản xuất sợi quang. Các thành phần này rất cần thiết cho sự phát triển của truyền thông 5G và hơn thế nữa, để kết nối với các trung tâm xử lý dữ liệu.
Tình hình thực tế tại nhà máy Dự án đòi hỏi đầu tư, và công ty phải vay vốn ưu đãi từ Quỹ Phát triển Công nghiệp (IDF). Khoản vay này được sử dụng để hiện đại hóa nhà máy. Quảng cáo trên tất cả các cổng thông tin khẳng định Nga đã tạo ra nguyên liệu sợi quang đầu tiên là không hoàn toàn chính xác. Germani tetraclorua đã được sản xuất trước đó, nhưng chất lượng thấp và chứa tạp chất không thể chấp nhận được. Chất này đã được sản xuất, nhưng không thể sử dụng làm linh kiện sợi quang vì không đáp ứng các yêu cầu.
Sản phẩm mới có hàm lượng phụ gia tối thiểu và sẽ được sử dụng để tạo mạng quang thụ động và cơ sở hạ tầng 5G. Các nhà hóa học từ lâu đã nỗ lực sản xuất germani tinh khiết. Tại các cơ sở sản xuất của Nga, ban đầu họ không thể sản xuất được chất lượng yêu cầu. Sau khi đầu tư vào hiện đại hóa, cập nhật thiết bị, quy trình kỹ thuật và hệ thống tinh chế, chất lượng đã được cải thiện.
Để sản xuất tetraclorua tinh khiết, người ta tạo ra các phôi hoặc phôi đặc biệt, từ đó sợi quang được sản xuất. Sản phẩm mới này rất cần thiết cho ngành công nghiệp của chúng tôi, đảm bảo truyền dữ liệu ổn định, tốc độ cao qua đường truyền thông. Nhân tiện, lãnh đạo vùng Krasnoyarsk đặc biệt chú trọng đến các công nghệ sản xuất mới, hỗ trợ các nhà khoa học và các dự án mới của họ, đồng thời nỗ lực đảm bảo các công ty không bị thiếu hụt chuyên gia được đào tạo bài bản. Sản phẩm mới này không chỉ cần thiết cho Nga; dự án đã được phát triển theo đúng kế hoạch, ngay cả khi không có lệnh trừng phạt.
Germanium tetrachloride độ tinh khiết cao không thể được sản xuất ở nước ngoài, tại các quốc gia không có bất kỳ hạn chế nào. Trung Quốc vẫn chưa thể vay mượn công nghệ để thiết lập sản xuất riêng. Do đó, nhà sản xuất Krasnoyarsk có đầy đủ các điều kiện tiên quyết cần thiết để thâm nhập thị trường quốc tế.
Gần đây, một đoàn kiểm tra của Hội đồng Nhà nước do ông M. Kostyukov, Thống đốc vùng Krasnoyarsk, dẫn đầu đã đến thăm doanh nghiệp. Các kiểm toán viên về lãnh đạo công nghệ đã đánh giá cao tình hình hiện tại của doanh nghiệp, bao gồm cả trang thiết bị và trình độ nghiên cứu khoa học. Tiến bộ khoa học không bị cản trở bởi bất kỳ biến động chính trị hay lệnh trừng phạt nào.
Tóm tắt về điều chính
Các nhà khoa học đã tạo ra germani tinh khiết, phù hợp cho viễn thông và sợi quang kỹ thuật. Chất mới này rất cần thiết cho việc cung cấp phạm vi và tốc độ cần thiết cho các chùm ánh sáng trong các đường truyền quang được thiết kế để cải thiện thông tin liên lạc. Hơn 300 triệu rúp đã được phân bổ cho dự án. Một phần kinh phí được cung cấp bởi IDF, nhưng khoản vay ưu đãi sẽ phải được hoàn trả. Các nhà kinh tế đang tính toán thời gian nhà sản xuất nguyên liệu sợi quang mới sẽ trả hết nợ. Công ty hiện có kế hoạch đạt công suất thiết kế đủ để sản xuất ít nhất 2 tấn chất này mỗi năm. Khách hàng của germani tinh khiết cao này sẽ là các nhà máy sản xuất phôi sợi quang.
Đại sứ xác nhận Nga sẽ chuyển giao giấy phép sản xuất máy bay chiến đấu Su-57 cho Ấn Độ
09.11.2025
Nga sẽ giúp đẩy nhanh quá trình phát triển chương trình AMCA của Ấn Độ.
Theo Đại sứ Nga tại New Delhi Denis Alipov, Ấn Độ đang có kế hoạch sản xuất theo giấy phép máy bay chiến đấu đa năng thế hệ thứ năm Su-57.
Theo ông, điều này sẽ đẩy nhanh việc triển khai chương trình AMCA của Ấn Độ nhằm chế tạo máy bay chiến đấu thế hệ thứ năm của riêng mình.
Nga hy vọng sẽ mở ra một chương mới trong mối quan hệ chiến lược này bằng cách mở rộng chuyển giao công nghệ cho Ấn Độ, bao gồm cả việc sản xuất theo giấy phép máy bay chiến đấu thế hệ thứ năm Su-57. Điều này sẽ đẩy nhanh việc triển khai chương trình máy bay chiến đấu thế hệ thứ năm AMCA của Ấn Độ. Denis Alipov, Đại sứ Nga tại Ấn Độ
Nhà ngoại giao này cho biết thêm rằng đóng góp của Nga cho ngành công nghiệp Ấn Độ không chỉ giới hạn ở thiết bị quốc phòng. Ông nhắc lại việc Nga đã ký biên bản ghi nhớ về việc cấp phép sản xuất máy bay phản lực chở khách khu vực SJ-100 .
Theo chương trình này, Ấn Độ sẽ có thể sản xuất máy bay để đáp ứng nhu cầu đi lại bằng đường hàng không nội địa ngày càng tăng và cũng trở thành trung tâm khu vực về bảo trì, sửa chữa và đại tu máy bay SJ-100. Denis Alipov, Đại sứ Nga tại Ấn Độ
Moscow và New Delhi đang chuẩn bị một thỏa thuận về quyền lợi của lao động di cư — The Economic Times Theo ước tính của tờ báo, sau khi văn kiện được ký kết, số lượng lao động Ấn Độ tại Nga sẽ tăng mạnh. Hiện nay, lao động Ấn Độ chủ yếu làm việc trong ngành xây dựng và dệt may, nhưng nhu cầu về chuyên gia cơ khí, điện tử và sản xuất công nghiệp đang gia tăng. Trước đó, tại vùng Urals, có thông tin rằng có thể có tới một triệu người Ấn Độ đến Nga vào cuối năm 2025, nhưng Bộ Lao động đã phủ nhận dữ liệu này. Năm nay, hạn ngạch thu hút lao động Ấn Độ là 71,8 nghìn người — chiếm gần một phần ba tổng số giấy phép cho người nước ngoài. Russia eyes Indian workers; deal likely during Putin's trip Updated: Nov 10, 2025
Thông tin mới nhất về thuốc chống ung thư của Nga chính thức được sử dụng tại Việt Nam 11/11/2025 Ưu điểm của thuốc miễn dịch chữa ung thư là tập trung vào việc sử dụng chính hệ miễn dịch của cơ thể để tiêu diệt tế bào ung thư, thay vì tác động trực tiếp vào tế bào ung thư như hóa trị, xạ trị. Cục Quản lý Dược (Bộ Y tế) đã chính thức ban hành Quyết định về việc cấp giấy đăng kí lưu hành cho 14 loại vắc xin và sinh phẩm tại Việt Nam, thuộc đợt 57. Đáng chú ý trong đó có thuốc thuốc Pembroria (hoạt chất chính là Pembrolizumab, hàm lượng 100mg/4ml) do Công ty Limited Liability "PK-137" (Nga) sản xuất điều trị ung thư. Chiều 11/11, trao đổi với Tiền Phong, GS.TS Lê Văn Quảng, Giám đốc Bệnh viện K cho biết, Bệnh viện K sẽ sớm đưa thuốc này vào điều trị cho bệnh nhân. Theo GS. Quảng, thuốc này chưa được bảo hiểm y tế chi trả. Hiện giá thành của thuốc Pembroria do Công ty Limited Liability "PK-137" (Nga) sản xuất có giá khoảng 18 triệu đồng/lọ. Bệnh nhân thường dùng 2 lọ cho 1 đợt điều trị. “Bệnh nhân sẽ được dùng kéo dài 12-24 đợt đến khi không còn đáp ứng với thuốc thì dừng. Mỗi tháng bệnh nhân sẽ điều trị 1 lần”, GS.TS Lê Văn Quảng thông tin. Các chuyên gia y tế đánh giá liệu pháp miễn dịch là một bước tiến quan trọng trong điều trị ung thư, có khả năng kích hoạt hệ miễn dịch của cơ thể để chống lại tế bào ung thư. Liệu pháp miễn dịch được kì vọng sẽ mang lại hi vọng sống cho nhiều bệnh nhân ung thư, đặc biệt là những trường hợp ung thư đã kháng với các phương pháp điều trị truyền thống như hóa trị hay xạ trị. Ưu điểm của thuốc miễn dịch chữa ung thư là tập trung vào việc sử dụng chính hệ miễn dịch của cơ thể để tiêu diệt tế bào ung thư, thay vì tác động trực tiếp vào tế bào ung thư như hóa trị, xạ trị. Nhiều nghiên cứu đang tập trung vào việc nâng cao hiệu quả và mở rộng phạm vi ứng dụng của liệu pháp này. Theo danh mục đợt 57 các vắc xin và sinh phẩm được cấp giấy đăng kí lưu hành do Cục Quản lý Dược (Bộ Y tế) ban hành, thuốc Pembroria (Pembrolizumab) 100mg/4ml chống ung thư do Nga sản xuất đã chính thức được phép lưu hành tại Việt Nam. Thuốc Pembroria (Pembrolizumab) 100mg/4ml do Công ty Anabion Pharmaceutical Trading Ltd (địa chỉ: Kizad Logistic Park Free Zone, Unit No. FZ-11, Taweelah, Abu Dhabi, Các Tiểu Vương quốc Ả Rập Thống nhất) đứng tên đăng kí. Cơ sở sản xuất là Limited Liability Company “PK-137”, có trụ sở tại Moscow, Zelenograd, Liên bang Nga. Pembroria là thuốc dung dịch đậm đặc để pha dung dịch tiêm truyền, được đóng gói dưới dạng hộp 1 lọ x 4ml, đạt tiêu chuẩn cơ sở (TCCS 24 460410440025). Pembrolizumab có hơn 14 chỉ định cho các loại bệnh ung thư khác nhau (như ung thư biểu mô phổi, u hắc tố, ung thư đại trực tràng, ung thư cổ tử cung, ung thư biểu mô tế bào thận, ung thư vú...). Việc cấp phép lưu hành thuốc Pembroria mở rộng thêm lựa chọn điều trị cho bệnh nhân, đặc biệt trong nhóm thuốc điều trị ung thư có hoạt chất Pembrolizumab, một kháng thể đơn dòng được sử dụng phổ biến trong liệu pháp miễn dịch. Các cơ sở đăng kí và sản xuất có trách nhiệm tuân thủ nghiêm ngặt quy định của Bộ Y tế về chất lượng, an toàn và hiệu quả khi lưu hành sản phẩm tại Việt Nam.
Bình phẩm: - Đây là loại thuốc điều trị ung thư dựa trên khả năng kích hoạt hệ miễn dịch của cơ thể, khác với các loại vaccine điều trị (không phải phòng ngừa) ung thư mà Nga và Mỹ đang thử nghiệm. Đó là các loại vaccine điều trị ung thư đa phần là được cá nhân hóa, nghĩa là tạo ra vaccine phù hợp cho từng cá nhân đơn lẻ bệnh nhân, còn thuốc này là dạng đại trà, dùng chung cho mọi bệnh nhân ung thư. Như đã đưa tin, Nga hiện đang thử nghiệm mấy loại vaccine điều trị ung thư, ví dụ:
+ một loại dùng mRNA + AI của viện Gamaleya (nơi phát triển vaccine Sputnik-V). Được chế tạo vaccine theo hướng cá nhân hóa dựa trên tân kháng nguyên của khối u, kết hợp AI để thiết kế nhanh chóng. Vaccine này dựa trên neoantigen của chính khối u từng bệnh nhân. Họ giải trình tự bộ gen/phiên mã của khối u => chọn lọc neoantigen bằng thuật toán/AI => tổng hợp mRNA mã hoá các peptide đích => tiêm để "huấn luyện" miễn dịch nhận diện tế bào u. Họ dùng AI để tăn tốc hỗ trợ tạo vaccine riêng cho từng bệnh nhân. Vaccine này được chế tạo theo hướng cá nhân hóa tuyệt đối cho từng bệnh nhân.
+ một loại tên là Enteromix, là vaccine oncolytic "kết hợp 4 loại virus không gây bệnh" nhằm trực tiếp tiêu diệt tế bào u và kích hoạt miễn dịch chống u của cơ thể. Vaccine này do Cơ quan Y sinh Liên bang Nga (FMBA), Trung tâm Nghiên cứu Y học Quốc gia về Xạ trị (thuộc Bộ Y tế Nga), Viện Sinh học Phân tử Engelhardt (EIMB), thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Nga (RAS) hợp tác, trong đó tổ chức cuối chính là nơi phát triển nền tảng mRNA và giải mã RNA khối u để cá nhân hóa vaccine. Loại này không cá nhân hóa mà có thể dùng cho nhiều bệnh nhân, cơ chế là đưa virus vào cơ thể để kích thích miễn dịch tiêu diệt tế bào ung thư.
+ Imuron-Vac: thuốc miễn dịch trị liệu đặt bàng quang (intravesical) dựa trên BCG dùng sau phẫu thuật cho ung thư bàng quang không xâm lấn cơ - đã được đưa vào thực hành lâm sàng tại các trung tâm của Nga. Đây là dạng vaccine trị liệu cổ điển nhưng vẫn thuộc nhóm miễn dịch trị liệu vì nó kích thích phản ứng miễn dịch tại chỗ để tiêu diệt tế bào ung thư còn sót lại.
PS: Nga còn có một loại Vaccine tự thân (autologous) khác là Oncophage (vitespen). Đây là loại vaccine cá thể hoá từ mô u được Nga phê duyệt 2008 cho ung thư thận nguy cơ tái phát trung bình (một dạng miễn dịch trị liệu cá nhân hoá; không phải mRNA). Vaccine này Nga dùng nó chủ yếu trong nghiên cứu và điều trị thử nghiệm, không phổ biến đại trà. Nó được xem là nền tảng cho các nghiên cứu miễn dịch trị liệu cá nhân hóa sau này. Oncophage thể hiện chiến lược lâu dài của Nga trong miễn dịch trị liệu cá nhân hóa, từ protein-based (2008) đến mRNA-based (Enteromix, Gamaleya hiện nay). Nói cách khác, đây là một nguyên mẫu, sản phẩm thử nghiệm chứ không phải là thương phẩm Vaccine này được tạo từ protein sốc nhiệt (HSP) chiết xuất từ mô khối u của chính bệnh nhân. Nó giúp hệ miễn dịch nhận diện các kháng nguyên đặc hiệu của khối u và kích hoạt phản ứng miễn dịch chống ung thư. Đây là loại vaccine protein-based vaccine.
- Loại thuốc Pembroria của Nga ở trên là dựa trên hoạt chất Pembrolizumab. Đây là thuốc miễn dịch thuộc nhóm ức chế điểm kiểm soát miễn dịch (PD-1 inhibitor), hoạt động theo cơ chế giải phóng "phanh" của tế bào T, giúp hệ miễn dịch nhận diện và tiêu diệt tế bào ung thư. Ở Việt Nam cũng có loại thuốc tương tự của Mỹ là Keytruda và Nivolumab, thuốc của Thụy Sĩ là Atezolizumab Các dòng thuốc dựa trên Pembrolizumab tuy có hiệu quả tốt nhưng có giới hạn nhưng không phải ai cũng đáp ứng, và có thể gây tác dụng phụ miễn dịch.
- Thuốc Pembroria của Nga hay nói chung là các loại thuốc dựa trên hoạt chất Pembrolizumab là loại thuốc kháng thể đơn dòng. Còn có các loại thuốc trị ung thư khác như là loại thuốc liệu pháp miễn dịch tự thân (Cell-based Immunotherapy) và Thuốc miễn dịch đường uống Với loại thứ 2 liệu pháp miễn dịch tự thân, Nga hiện có nghiên cứu và ứng dụng liệu pháp tế bào miễn dịch, đặc biệt là liệu pháp tế bào NK và T cho ung thư, nhưng chưa phổ biến thương mại như ở Nhật hay Việt Nam (Vinmec). Các trung tâm ung thư lớn của Nga (Herzen, Blokhin) đang thử nghiệm kết hợp liệu pháp tế bào với vaccine mRNA cá nhân hóa để tăng hiệu quả. Tuy nhiên, Nga chưa công bố sản phẩm thương mại hóa rộng rãi trong nhóm này. Còn loại thứ 3 Thuốc miễn dịch đường uống Nga có sử dụng/ sản xuất IMiDs như lenalidomide/pomalidomide (u tuỷ xương…). Sau khi các nhãn gốc rút khỏi thị trường, generic Nga thay thế; có nhà sản xuất trong nước như Pharmasyntez công bố lenalidomide dạng viên nang. (IMiDs là thuốc uống điều biến miễn dịch, được xếp vào liệu pháp miễn dịch trong huyết học).
thì hiện mới đang nghiên cứu, Nga chưa có thuốc miễn dịch đường uống được cấp phép hoặc thử nghiệm lâm sàng công khai. Còn Mỹ có dự án thử nghiệm tên là RBS2418 do công ty công nghệ sinh học Mỹ Riboscience phát triển. Nga hiện tập trung vào mRNA cá nhân hóa và kháng thể đơn dòng nội địa (ví dụ Pembroria) hơn là thuốc uống.
- Bệnh viên Tâm Anh ở Long Biên, Hà Nội có ký kết hợp tác với Nga. Cụ thể thì Tâm Anh vừa ký kết với Trung tâm Nghiên cứu Y học Quốc gia về Xạ trị (NMRRC) - Bộ Y tế Nga về chuyển giao công nghệ lõi chẩn đoán & điều trị ung thư. Họ muốn phân tích khả năng sản xuất vaccine mRNA ung thư trước 2030. Theo đó thì: VNVC: trung tâm sản xuất và chuyển giao công nghệ. Gamaleya & Binnopharm (Nga): cung cấp công nghệ mRNA, hỗ trợ nghiên cứu. Bộ Y tế Việt Nam: điều phối pháp lý, cấp phép thử nghiệm. Bệnh viện Tâm Anh: triển khai thử nghiệm lâm sàng và ứng dụng. Quỹ RDIF: tài trợ và kết nối hợp tác.
Tất nhiên, bệnh viên Tâm Anh cũng hợp tác với Mỹ, trong đó Tâm Anh là điểm nghiên cứu quốc tế đầu tiên ngoài Mỹ cho thuốc miễn dịch đường uống RBS2418 (nói ở trên) do công ty công nghệ sinh học Mỹ Riboscience phát triển, với sự tham gia của các chuyên gia từ Đại học Stanford. Hiện Việt nam đang tham gia thử nghiệm RBS2418.
Dĩ nhiên những hợp tác này là ký kết hợp tác nghiên cứu, kết quả có thành sản xuất thực ở VN hay không còn tùy thuộc kết quả nghiên cứu của Nga và Mỹ.
Một nhóm nghiên cứu từ Đại học Alferov, hợp tác với OKB-Planeta JSC và Ioffe-LED LLC, đã phát triển và được cấp bằng sáng chế cho điốt quang cận hồng ngoại đầu tiên của Nga với độ nhạy mở rộng xuống đến 2,65 micron. Hiệu suất này gần gấp đôi so với các sản phẩm tương tự trong nước hiện có.
Công nghệ mới dựa trên thành phần tối ưu của vật liệu bán dẫn indium gallium arsenide (InGaAs). Việc tăng hàm lượng indium trong tinh thể đã mở rộng đáng kể phạm vi hoạt động của thiết bị. Một thách thức quan trọng trong việc tạo ra các cấu trúc như vậy là mật độ khuyết tật cao, và vấn đề này đã được khắc phục bằng thiết bị nuôi cấy bán dẫn độc đáo.
"Chúng tôi đã phát triển một công nghệ cho phép tạo ra tinh thể InGaAs với hàm lượng indi phá kỷ lục. Điều này không chỉ mở rộng đáng kể phạm vi hoạt động của các máy dò mà còn duy trì khả năng tương thích của chúng với các quy trình sản xuất hiện có. Điều này cho phép các sản phẩm của chúng tôi nhanh chóng thâm nhập thị trường và cạnh tranh với các đối thủ nước ngoài", Maxim Sobolev, Trưởng phòng Thí nghiệm Vi điện tử Vi sóng Tiên tiến tại Đại học Alferov, giải thích.
Sự phát triển này mở ra triển vọng cho việc tạo ra các hệ thống nhìn đêm cải tiến có khả năng hoạt động trong điều kiện thời tiết bất lợi, cũng như các máy phân tích khí có độ nhạy cao để theo dõi khí nhà kính. Theo nauka.rf, các điốt quang thu được có hiệu suất tương đương với các thiết bị tương tự tốt nhất trên thế giới.
Dự án được thực hiện với sự hỗ trợ của Quỹ Khoa học Nga và Quỹ Hỗ trợ Doanh nghiệp Sáng tạo Nhỏ (FASIE). Bằng sáng chế số RU 235230 U1 đã được cấp cho dự án này.
@uman Không biết bác còn nhớ hồi ở OF, tôi có đưa tin việc Nga chế tạo sản xuất bóng bán dẫn (transistor) dựa trên gallium nitride (GaN), là một chất bán dẫn vùng cấm rộng rất cứng. Lúc đó bác có nói rằng, việc Nga đã có thể bắt tay vào chế tạo linh kiện trên các bán dẫn vùng cấm rộng, nghĩa là đã tiếp cận các công nghệ mới, vật liệu mới để có thể tự chủ động các linh kiện quang điện tử thế hệ mới, đặc biệt trong lĩnh vực quân sự. Lúc đó tôi cũng đã nói rằng Nga đã xây cơ sở sản xuất mới hoàn toàn mà chỉ để làm hướng đến GaN này, chứ họ không tranh thủ các cơ sở có sẵn, các cơ sở hạ tầng sản xuất silicon hiện có (dù lúc đầu cũng cân nhắc chuyển sang việc sản xuất dựa trên GaN từ cơ sở sản xuất hiện nay dựa trên sillicon, vì phía Nga nói rằng, bằng cách nuôi cấy một lớp GaN epi lên trên silicon, khi đó cơ sở hạ tầng sản xuất silicon hiện có có thể được sử dụng, mà không cần phải xây cơ sở sản xuất chuyên biệt đắt tiền và tận dụng các tấm silicon có đường kính lớn sẵn có với chi phí thấp)
Bây giờ có tin mới tiếp tục rồi đây, nhưng lại là 1 cơ sở khác của Nga làm, là NIIET sản xuất sau khi đã làm chủ công nghệ cần thiết. Còn cơ sở hồi tôi và bác trao đổi là Trung tâm Công nghệ Nano Zelenograd (JSC ZNTC) đặt tại MIET
NIIET đưa bóng bán dẫn TNG-K power GaN (TNG-K power GaN transistors) vào sản xuất hàng loạt
Viện nghiên cứu công nghệ điện tử Voronezh thông báo bắt đầu nhận đơn đặt hàng cho các bóng bán dẫn điện sản xuất hàng loạt thuộc dòng TNG-K dựa trên gali nitrit trong vỏ gốm kim loại và nhựa (cermet and plastic cases).
Công nghệ gali nitrit là một trong những lĩnh vực hứa hẹn nhất và đang phát triển nhanh chóng trong điện tử công suất và vi sóng trên thế giới. Lý do cho điều này nằm ở các tính chất của gallium nitride , vượt trội đáng kể so với silicon truyền thống cho ngành công nghiệp bán dẫn ở một số tham số chính, chẳng hạn như khoảng cách vùng cấm, cường độ trường tới hạn và vận tốc trôi bão hòa của điện tử. Do đó, các bóng bán dẫn GaN có thể hoạt động ở nhiệt độ cao hơn, ở tần số cao hơn, với mật độ năng lượng và hiệu suất năng lượng cao hơn so với silicon.
Spoiler
Chi tiết
NIIET đã phát triển lĩnh vực này trong hơn 10 năm và vào tháng 2 năm 2021, viện đã thông báo về việc cung cấp các mẫu thử nghiệm bóng bán dẫn GaN mới thuộc dòng TNG-K, được thiết kế để hoạt động như chìa khóa trong bộ sạc điện tử tiêu dùng, xe điện, thiết bị thay thế. bộ chuyển đổi năng lượng và thiết bị mạch cung cấp điện cho các mục đích khác nhau. Sê-ri bao gồm năm loại thiết bị (TNG-K 10030, TNG-K 20040, TNG-K 20020, TNG-K 45020, TNG-K 45030) trong hộp gốm KT-94.
Một trong những ưu điểm của sê-ri, duy nhất đối với thị trường sản xuất ECB của Nga , là các bóng bán dẫn này thường đóng. Điều này đơn giản hóa mạch trình điều khiển cổng vì các loại thiết bị này không yêu cầu độ lệch cổng âm để tắt bóng bán dẫn. Kết hợp với thực tế là các bóng bán dẫn gali nitride, hoạt động ở tần số chuyển mạch cao hơn, cho phép sử dụng các tụ điện nhỏ hơn trong thiết kế bộ nguồn chuyển mạch, mạch điều khiển đơn giản hơn giúp giảm đáng kể kích thước của thiết bị trong khi vẫn duy trì các thông số năng lượng của nó . Điều này được tạo điều kiện bởi các giá trị hiệu quả caoBóng bán dẫn GaN, trong trường hợp dòng TNG-K, đạt 97-98%.
Các bóng bán dẫn TNG-K đã nhiều lần được trưng bày tại các triển lãm lớn nhất của Nga về ngành công nghiệp điện tử và vô tuyến điện tử, nơi chúng thu hút được sự quan tâm lớn từ khách tham quan. Vào tháng 4 năm ngoái, các mẫu của sê-ri này - đã được đựng trong hộp nhựa - đã nhận được sự công nhận chính thức từ các chuyên gia trong ngành: chúng đã mang về cho Công ty cổ phần NIIET vị trí đầu tiên trong cuộc thi Electronica - 2022 ở hạng mục Điện tử công suất.
Bây giờ các bóng bán dẫn sê-ri TNG-K đã có sẵn để đặt hàng. Doanh nghiệp đã làm chủ việc sản xuất hàng loạt các thiết bị này cả trong vỏ kim loại gốm và nhựa, và trong thời gian qua, các chuyên gia của NIIET đã cố gắng tăng điện áp đánh thủng của các thiết bị nguồn thoát nước lên 900 V, trong khi thông số này trong loạt bài này ban đầu được giới hạn ở 450 V.
Vladimir Maleev, Giám đốc Thương mại của NIIET cho biết: “Chúng tôi đã cho thấy công nghệ gali nitride hiệu quả như thế nào khi tạo ra các thiết bị điện tử sử dụng bộ sạc của chúng tôi làm ví dụ: công suất 95 W đạt được trong kích thước của bộ sạc bật lửa xe hơi thông thường”. - Phạm vi ứng dụng của bóng bán dẫn dòng TNG-K rất rộng. Giờ đây, các nhà sản xuất thiết bị điện không chỉ có thể đánh giá ưu điểm của nó trên các mẫu thử nghiệm mà còn có thể sử dụng đầy đủ các thiết bị này trong các sản phẩm nối tiếp của họ.”
NIIET launched TNG-K power GaN transistors into serial production
Viện Nghiên cứu Công nghệ Điện tử (thuộc tập đoàn Element), nhà phát triển bóng bán dẫn vi sóng công suất cao trong nước, đặc biệt, chuyên phát triển và sản xuất bóng bán dẫn cho máy phát sóng. Chính các bóng bán dẫn NIIET KT9155, KT9152, KT9174 đã đảm bảo độ tin cậy và chất lượng của hệ thống phát sóng truyền hình analog nhà nước của nước ta trong thế kỷ 20 và đầu thế kỷ 21. Hiện nay, Viện Công nghệ điện tử đang triển khai dự án phát triển các bóng bán dẫn trong nước đầu tiên phục vụ phát sóng truyền hình kỹ thuật số mặt đất. Các chuyên gia của công ty đã hoàn thành thành công các thử nghiệm đối với bóng bán dẫn LDMOS KP9171A và KP9171BS. Theo kết quả thử nghiệm, các sản phẩm đáp ứng các yêu cầu về thông số kỹ thuật và tương ứng với các sản phẩm tương tự tốt nhất trên thế giới. Đồng thời, bóng bán dẫn KP9171BS, là bóng bán dẫn bất đối xứng nội địa đầu tiên được thiết kế để sử dụng trong mạch Dougherty, cung cấp sự kết hợp tốt nhất giữa tính tuyến tính của các đặc tính, công suất đầu ra và hiệu suất.
Spoiler
Chi tiết
Các tinh thể bóng bán dẫn được phát triển được sản xuất tại nhà máy Mikron. Các nhà công nghệ từ NIIET và Mikron, đang nỗ lực cải tiến quy trình công nghệ, đã thực sự phát triển một công nghệ LDMOS mới, cung cấp công suất đầu ra riêng cao và giá trị điện dung thấp.
Hiện nay, công nghệ LDMOS là công nghệ silicon chiếm ưu thế để sản xuất các bóng bán dẫn vi sóng dùng trong các lĩnh vực như thông tin di động, radar và truyền hình kỹ thuật số. Các bóng bán dẫn được phát triển tại NIIET được thiết kế để sử dụng trong các bộ khuếch đại tín hiệu truyền hình. Ngoài ra, chúng có thể được sử dụng trong các hệ thống radar và định vị.
Các bóng bán dẫn LDMOS vi sóng mạnh mẽ do NIIET phát triển có thể đáp ứng các yêu cầu hoạt động cụ thể trong bộ phát tín hiệu theo tiêu chuẩn DVB-T/ DVB-T2, đồng thời cung cấp các giá trị và hiệu suất công suất cao kết hợp với tính tuyến tính cao của đặc tính truyền.
Mẫu thử nghiệm đã được cung cấp cho người tiêu dùng tiềm năng. Việc giao hàng nối tiếp đầu tiên của sản phẩm được lên kế hoạch vào quý 4 năm nay, các đơn đăng ký hiện đang được chấp nhận.
Công việc tạo ra các bóng bán dẫn LDMOS vi sóng công suất cao với hiệu suất năng lượng được cải thiện cho các máy phát sóng truyền hình kỹ thuật số mặt đất được thực hiện với sự đồng tài trợ từ ngân sách liên bang như một phần của chương trình trợ cấp theo Nghị định của Chính phủ Liên bang Nga vào tháng 7 Ngày 24 tháng 1 năm 2021 số 1252.
Các thông số chính của 2P9171A: mức tăng công suất - không dưới 20 dB, hiệu suất tiêu hao - không dưới 45%, hệ số thành phần Raman bậc ba - không quá -30 dB với công suất đầu ra ở mức đỉnh của đường bao là 140 W và điện áp nguồn 50 V ở tần số hoạt động 860 MHz. Đồng thời, bóng bán dẫn có mức dự trữ năng lượng gần như gấp đôi là 250 W.
Các thông số năng lượng chính của KP9171BS: mức tăng công suất - không dưới 18,6 dB, hiệu suất thoát nước - không dưới 50%, giá trị tham số IMDSHLDR - không quá -33 dB với công suất đầu ra liên tục 180 W và điện áp cung cấp 50 V ở tần số hoạt động 550 MHz. Trong trường hợp này, bóng bán dẫn cung cấp công suất xung cực đại lên tới 1 kW.
Tiếp post trước. Hồi tháng 8/2022 tôi có đưa tin này bên OF, chính là đoạn mà bác @uman nói bên kia
Bắt đầu vụ sản xuất tinh thể bóng bán dẫn dựa trên gallium nitride (transistor crystals based on gallium nitride),
Thế giới đa phần sản xuất dựa trên sillicon. Tuy nhiên, Gali nitride (GaN) là một chất bán dẫn vùng cấm rộng rất cứng, ổn định về mặt cơ học. Công nghệ dựa trên Gallium Nitride có rất nhiều ưu điểm so với sillicon do có khả năng duy trì tần số chuyển mạch cao hơn nhiều, Mật độ công suất cao hơn, tăng khả năng duy trì nhiệt độ cao (GaN có độ dẫn nhiệt cao hơn có nghĩa là vật liệu này vượt trội hơn trong việc dẫn nhiệt hiệu quả hơn), hiệu quả năng lượng cao hơn, Tốc độ thiết bị nhanh hơn, Thiết bị nhỏ hơn
Tinh thể gali nitride có thể được nuôi cấy trên nhiều loại chất nền khác nhau, bao gồm sapphire, silic cacbua (SiC) và silic (Si). Từ đó ta có thể chuyển sang việc sản xuất dựa trên GaN từ cơ sở sản xuất hiện nay dựa trên sillicon, bằng cách nuôi cấy một lớp GaN epi lên trên silicon, khi đó cơ sở hạ tầng sản xuất silicon hiện có có thể được sử dụng, mà không cần phải xây cơ sở sản xuất chuyên biệt đắt tiền và tận dụng các tấm silicon có đường kính lớn sẵn có với chi phí thấp. Tuy vậy, bài dưới này là Nga đã xây cơ sở sản xuất dựa trên GaN chuyên biệt từ đầu, chứ không đi theo hướng này
PS: Tuy có nhiều ưu điểm, Trong khi các thiết bị GaN được sử dụng rộng rãi trong ngành quang điện tử (chẳng hạn như đèn LED), chúng không được sử dụng phổ biến trong các bóng bán dẫn vì một số lý do.
Việc sản xuất bóng bán dẫn (transistor) dựa trên gallium nitride sẽ xuất hiện trên cơ sở SEZ "Technopolis" Moscow "
Trung tâm Công nghệ Nano Zelenograd (JSC ZNTC), một cư dân của Đặc khu Kinh tế (SEZ) Technopolis Moscow, sẽ khởi động dây chuyền thử nghiệm đầu tiên của Nga để sản xuất tinh thể bóng bán dẫn dựa trên gallium nitride. Phó Thị trưởng Matxcova Vladimir Yefimov cho biết các linh kiện điện tử-vô tuyến này được sử dụng trong sản xuất nguồn điện mạnh, mô-đun hệ thống liên lạc 5G , thiết bị cho máy chủ và trung tâm dữ liệu , trạm sạc không dây cho xe điện .
Spoiler
Chi tiết
“ZNTC, đặt tại địa điểm MIET của Đặc khu Kinh tế Mátxcơva , đã hoàn thành giai đoạn tiếp theo là chuẩn bị cơ sở hạ tầng cho việc sản xuất tinh thể bóng bán dẫn dựa trên gali nitride - việc xây dựng và vận hành một địa điểm để sản xuất thử nghiệm. Công ty đã đầu tư khoảng 1 tỷ rúp vào dự án. Đây là lần đầu tiên được sản xuất ở Nga , ”ông Vladimir Efimov cho biết .
Gali nitride là một trong những vật liệu phổ biến và đầy hứa hẹn trong thiết bị điện tử hiện đại. Sự phát triển của các công nghệ dựa trên chất bán dẫn này có tầm quan trọng chiến lược đối với các ngành như viễn thông, ô tô, tự động hóa công nghiệp và năng lượng.
“Theo dự báo của các nhà phân tích hàng đầu trong ngành, tốc độ tăng trưởng trung bình hàng năm của thị trường điện tử công suất toàn cầu dựa trên gali nitride trong hai năm tới sẽ là 85%. Ưu điểm quan trọng của bóng bán dẫn dựa trên chất bán dẫn này là tốc độ so với các sản phẩm được tạo ra bằng công nghệ khác - Mosfet và IGBT, cũng như khả năng làm việc ở điện áp cao và độ tin cậy cao. ZNTC có kế hoạch bắt đầu sản xuất quy mô nhỏ vi điện tử dựa trên gallium nitride sử dụng các công nghệ cơ bản vào năm 2023 ”, Vladislav Ovchinsky , người đứng đầu Ban Chính sách Công nghiệp và Đầu tư cho biết .
“ Trung tâm công nghệ nano Zelenograd ” chuyên phát triển và sản xuất cảm biến ECB và cảm biến cho các hệ thống tự động hóa công nghiệp , năng lượng , dầu khí, hệ thống điều khiển thông minh.
“Hiện tại, Zelenograd Nanocenter, cùng với các đối tác công nghệ và công nghiệp, đang nghiên cứu việc tạo ra công nghệ sản xuất cơ sở linh kiện điện tử dựa trên gallium nitride, được bản địa hóa hoàn toàn tại Nga. Anatoly Kovalev , Tổng giám đốc ZNTC, cho biết một lợi thế đáng kể đối với công ty là khả năng giảm thiểu chi phí đầu tư thông qua việc sử dụng cơ sở hạ tầng được hình thành trong SEZ "Technopolis Moscow " .
Gennady Degtev , Tổng giám đốc Technopolis Moscow SEZ , lưu ý rằng hiện tại, cụm vi điện tử của Đặc khu kinh tế Moscow bao gồm hơn 30 cư dân.
Một nhà máy sản xuất vi điện tử từ gali nitride sẽ được mở ở Seversk với giá 18 tỷ rúp
Công ty Micran của Tomsk cùng với công ty nhiên liệu TVEL (một phần của Rosatom) sẽ mở một nhà máy sản xuất vi điện tử dựa trên gali nitride ở TASED Seversk. Công suất của nó sẽ là 3 tỷ sản phẩm mỗi năm. Mục tiêu chính của dự án là thực hiện sản xuất trong nước các thành phần dựa trên gali nitride, thực tế hiện nay chưa được sản xuất ở Nga. Tổng vốn đầu tư vào dự án khoảng 18 tỷ rúp.
Vì vậy, trong vòng ba năm, đến năm 2025, dự kiến đạt công suất khoảng 3 tỷ sản phẩm / năm. Nhà máy sẽ phát triển và cung cấp công nghệ sản xuất các thành phần năng lượng dựa trên gallium nitride, cũng như thiết bị sử dụng chúng - nguồn điện cao áp trên pin lithium-ion, pin kéo và hệ thống lưu trữ năng lượng. Các thành phần dựa trên nitrit gali có thể được sử dụng trong bộ sạc không dây, truyền thông 5G, thiết bị điện tử tiêu dùng, y học và nguồn cung cấp năng lượng.
Spoiler
Chi tiết
Để tham khảo. Công ty cổ phần "NPF" Mikran "là một công ty của Nga chuyên sản xuất thiết bị viễn thông, thiết bị điều khiển và đo lường và các phụ kiện của đường dẫn vi ba, thiết bị điện tử vi sóng và mô-đun, radar dẫn đường và an ninh, v.v. Công ty có hơn một nghìn khách hàng ở Nga và nước ngoài. biên giới của nó, và địa lý của các đơn đặt hàng - từ CIS đến các nước Châu Á và Châu Phi. Các văn phòng đại diện của công ty được đặt tại Ý, Brazil, Việt Nam và Nam Phi. Tính đến năm 2018, công ty nắm giữ hơn 100 bằng sáng chế cho các phát minh.
Hình như hồi năm 2017, công ty này cũng cung cấp sản phẩm cho VN, họ đã thực hiện dự án trong lĩnh vực tạo ra các thiết bị đo lường tín hiệu tần số cao cho một trong những công ty công nghiệp lớn VN
Có bài này nói về công nghệ GaN, tôi từng đưa từ tháng 1/2022 bên vol 7 ở OF
Chính nó đã nói về công nghệ sản xuất GaN của JSC NIIET ở bài trên.
Trước khi có vụ sản xuất hàng loạt bóng bán dẫn GaN ở post trước, Nga phải mua từ nước ngoài
Làm thế nào câu đố về chu trình đầy đủ của công nghệ nitrua gali (full cycle of gallium nitride technology) được ghép lại với nhau Công nghệ Gali nitrua là một trong những hướng đi đầy hứa hẹn trong việc phát triển cơ sở linh kiện điện tử dùng cho công suất và điện tử vi sóng. Phạm vi ứng dụng mà nó trở thành một trong những ứng dụng hiệu quả nhất, và trong một số trường hợp, đơn giản là không thể thiếu, là cực kỳ rộng và mở rộng từ bộ sạc gia đình đến các hệ thống giao thông điện quan trọng, hệ thống viễn thông tiên tiến và các thiết bị radar hiện đại. Trên toàn thế giới, công nghệ này đang phát triển nhanh chóng, và trong Chiến lược phát triển ngành công nghiệp điện tử của Liên bang Nga giai đoạn đến năm 2030, nó được đưa vào lĩnh vực trọng điểm là "Phát triển khoa học và kỹ thuật" .
Viện Nghiên cứu Khoa học Công nghệ Điện tử thuộc Công ty cổ phần Voronezh (JSC NIIET) là một trong những công ty đầu tiên ở Nga chú ý đến hướng đi này. Đến nay, họ đã tạo ra một công việc tồn đọng đáng kể trong việc phát triển và sản xuất cả các linh kiện điện tử dựa trên gali nitride (GaN ) và các thiết bị sử dụng chúng. Hơn nữa, một số GaN -devices NIIET đã cung cấp hàng loạt cho người tiêu dùng.
Bài viết này sẽ thảo luận về lý do tại sao công nghệ này lại có triển vọng đến vậy, NIIET JSC đã đạt được những gì trong lĩnh vực này và những nhiệm vụ cần giải quyết trong tương lai gần và lâu dài hơn.
Spoiler
Click để xem chi tiết
Một chút về lịch sử
Nhân loại đã có nhiều khám phá trong lịch sử và thực hiện một số lượng lớn các phát minh, nhưng chỉ một số ít trong số đó đã thay đổi về mặt chất lượng cuộc sống của chúng ta, và tất nhiên, phát minh ra transistor bán dẫn cũng nằm trong số đó. Mặc dù rơ le điện từ vẫn có thể đáp ứng các nhiệm vụ chuyển mạch có điều khiển và bộ khuếch đại tín hiệu được chế tạo thành công trên các ống chân không, bóng bán dẫn đã đưa điện tử - cả tương tự và kỹ thuật số - lên một tầm cao mới. Ngoài việc đạt được độ tin cậy cao, khả năng sản xuất, các đặc tính điện của thiết bị, theo thời gian, bóng bán dẫn có thể tạo ra một loại sản phẩm hoàn toàn mới - mạch tích hợp, làm cho các thiết bị phức tạp có chức năng cao trở nên nhỏ gọn, dễ sử dụng và dễ tiếp cận với mọi người, và không chỉ dành cho các nhà khoa học và chuyên gia trong các lĩnh vực nhất định,
Tuy nhiên, các đặc tính của một linh kiện bán dẫn thể rắn, là một bóng bán dẫn, phần lớn được xác định bởi các đặc tính của vật liệu được sử dụng. Hơn nữa, các thông số nhất định của một vật liệu cụ thể trở thành yếu tố hạn chế sự phát triển hơn nữa: bóng bán dẫn "nằm" trong một giới hạn không thể vượt qua do các quy luật vật lý. Đồng thời, ngày càng có nhiều nhiệm vụ khác nhau được giao cho thiết bị điện tử, nó thâm nhập vào hầu hết các lĩnh vực trong cuộc sống của chúng ta và phải ứng phó với những thách thức mới. Do đó, các nhà khoa học và kỹ sư trên khắp thế giới không ngừng tìm kiếm các giải pháp mới, kể cả trong lĩnh vực vật liệu, có thể giúp tạo ra bước nhảy vọt trong việc cải thiện hiệu suất của bóng bán dẫn.
Tại sao lại sử dụng gali nitride?
Có rất nhiều chất bán dẫn mà bóng bán dẫn có thể được thực hiện, và kể từ khi phát hiện ra hiệu ứng bóng bán dẫn, nhiều người trong số chúng đã được coi là ứng cử viên để sử dụng trong các thiết bị này. Bóng bán dẫn lưỡng cực đầu tiên là gecmani. Từ những năm 1940, nghiên cứu cũng đã được thực hiện trong lĩnh vực gali nitride. Nhưng nhanh chóng thay, silicon đã chiếm vị trí dẫn đầu: các đặc tính của nó khá được chấp nhận vào thời điểm đó, một số đặc tính của nó đã vượt qua germanium và điều rất quan trọng là nó có công nghệ tiên tiến và rẻ tiền.
Mối quan tâm đến gallium nitride bắt đầu hồi sinh vào những năm 1970, và vào đầu những năm 1990, một sự kiện quan trọng đã xảy ra - dựa trên vật liệu này, đèn LED UV và xanh lam sáng đã được tạo ra, giúp có thể thực hiện bộ ba màu đỏ-xanh lục-xanh lam hoàn chỉnh trên chất bán dẫn để tạo ra các màn hình màu, cũng như để tạo ra các đèn LED chiếu sáng mà chúng ta hiện đang sử dụng, kể cả trong cuộc sống hàng ngày.
Nhưng ngoài khả năng phát ra ánh sáng ở vùng trên của quang phổ, vật liệu này có các đặc tính rất hữu ích khi sử dụng ngày càng nhiều ổ điện và các thiết bị điện tử công suất khác, cũng như nhu cầu về tần số cao hơn với sự phát triển của thông tin liên lạc di động kỹ thuật số, cải thiện độ chính xác và các ứng dụng trong các lĩnh vực mới của radar (đủ để nhắc lại rằng hiện nay trên nhiều ô tô hiện đại, radar giúp người lái xe kiểm soát "điểm mù", giữ khoảng cách, v.v.) và nói chung, ngày càng tăng sử dụng điện tử vi sóng. Chúng ta hãy lưu ý những đặc điểm chính của GaN.
Trước hết, gali nitride có khoảng cách vùng cấm rộng (3,39 eV so với 1,12 eV đối với silicon) và cường độ trường tới hạn cao (3,3 MV / cm, trong khi đối với silicon là 0,3 MV / cm). Thông số đầu tiên ảnh hưởng, trước hết là phạm vi nhiệt độ hoạt động của bóng bán dẫn: độ rộng vùng cấm càng lớn, nhiệt độ cao hơn bóng bán dẫn có thể duy trì các thông số của nó. Trong thực tế, GaN cho phép bạn tạo ra các bóng bán dẫn hoạt động ở nhiệt độ lên đến 225 ° C. Ngoài ra, đặc tính này của vật liệu gắn liền với công suất điện tối đa mà bóng bán dẫn có thể kiểm soát. Cường độ trường tới hạn xác định điện áp giới hạn có thể được áp dụng cho bóng bán dẫn: khi sử dụng vật liệu có giá trị cao hơn của thông số này, một thiết bị có cùng kích thước có thể quản lý một điện áp lớn.Những đặc điểm này cho thấy GaN là một vật liệu đầy hứa hẹn để tạo ra các bóng bán dẫn công suất.
Gali nitride cũng cho phép sử dụng nó trong công nghệ vi sóng. Vì vậy, theo một trong những đặc điểm quan trọng nhất đối với khu vực này - vận tốc trôi của độ bão hòa điện tử - vật liệu này vượt qua silicon 2-3 lần. Theo tính di động của các hạt mang điện tích, nó tương ứng với silicon, nhưng kém hơn so với arsenide gali, chất truyền thống cho bóng bán dẫn vi sóng. Đối với GaN, thông số này ở mức chấp nhận được, và mặc dù vật liệu này không phải là vật liệu dẫn đầu không thể tranh cãi trong lĩnh vực vi sóng, nhưng tính đến các đặc tính quyết định sự kết hợp giữa tần số và đặc tính năng lượng của thiết bị, nó cho phép bạn tạo ra vi sóng. bóng bán dẫn với mật độ công suất duy nhất. Những thiết bị như vậy không thể được chế tạo trên cơ sở không chỉ silicon mà còn cả gali arsenide, có độ rộng vùng cấm và cường độ trường tới hạn nhỏ hơn nhiều.
Có thể thấy, không thể tránh khỏi những thỏa hiệp, nhưng sự kết hợp các đặc tính của GaN xác định ba lĩnh vực mà việc sử dụng vật liệu này đã cho thấy hiệu quả của nó: quang điện tử (điốt phát quang và laser trạng thái rắn), chuyển đổi nguồn và cao - bóng bán dẫn vi sóng công suất.
Từ lý thuyết đến thực hành
Mặc dù những ưu điểm của gallium nitride đã được biết đến từ lâu, nhưng năm ra đời của bóng bán dẫn GaN thường được coi là năm 1993, khi bài báo "Bóng bán dẫn hiệu ứng trường kim loại-bán dẫn dựa trên một chip gallium nitride" được xuất bản. trong Thư vật lý ứng dụng (M. Asif Khan, JN Kuznia, AR Bhatarrai, DT Olson Bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn kim loại dựa trên GaN đơn tinh thể), trong đó các tác giả mô tả kết quả tạo và đo các đặc tính của MOSFET thu được trên vật liệu này . Và bóng bán dẫn GaN bắt đầu đi vào công nghệ nối tiếp, đặc biệt là để tiêu dùng hàng loạt, thậm chí muộn hơn, và nói chung quá trình này vẫn đang diễn ra.
Một trong những yếu tố hạn chế trong sự phát triển của công nghệ GaN là khá khó khăn để phát triển một tinh thể của vật liệu này để sử dụng tiếp như một chất nền độc lập. Do đó, các bóng bán dẫn gallium nitride được hình thành trong các lớp biểu mô, được lắng đọng trên các chất nền làm bằng vật liệu khác. Silicon cacbua (SiC) là một trong những vật liệu truyền thống. Ưu điểm của nó trong trường hợp này là sự tương tự của mạng tinh thể với gali nitrua, làm giảm số lượng lớp đệm và nói chung đơn giản hóa quá trình tạo dị cấu trúc. Tuy nhiên, bản thân cacbua silic rất đắt, đó là lý do tại sao giá thành của bóng bán dẫn tương đối cao.
Một lựa chọn thỏa hiệp là sự kết hợp của silicon công nghệ rẻ tiền và gali nitride, có sự kết hợp đặc tính nổi bật. Gần đây, các công nghệ epitaxy đã được tạo ra và thử nghiệm để có thể tạo ra các dị cấu trúc GaN-Si chất lượng cao và đáng tin cậy, và một lợi thế bổ sung của công nghệ này là khả năng làm việc với các tấm wafer có đường kính lớn (ngày nay, lên đến 200 mm) , giúp giảm giá thành của các thiết bị được sản xuất.
Triển vọng đối với nitrua gali trên silicon có vẻ đầy hứa hẹn. Do đó, theo ước tính được Research and Markets công bố vào tháng 11 năm nay, trong giai đoạn 2021-2026, tốc độ tăng trưởng kép hàng năm (CAGR) của thị trường thiết bị điện dựa trên gali nitride sẽ vào khoảng 19%. Đồng thời, GaN-Si chiếm thị phần ngày càng tăng trên thị trường thiết bị gali nitride và theo một số dự báo, sẽ vượt qua GaN-SiC đã có trong nửa cuối những năm 2020, có thể là do việc sử dụng ngày càng nhiều các thiết bị như vậy trong điện tử tiêu dùng, đặc biệt là trong điện thoại thông minh, từ - vì yêu cầu ngày càng tăng đối với thiết bị đầu cuối, cũng như do chi phí của công nghệ này giảm hơn nữa.
Các thiết bị hoạt động không đúng nguyên tắc, nhưng trong trường hợp
Theo ghi nhận, Viện Nghiên cứu Khoa học Công nghệ Điện tử Voronezh là một trong những doanh nghiệp trong nước đầu tiên quan tâm đến công nghệ gali nitride dùng trong vi sóng và điện tử công suất. Cho đến nay, công ty cung cấp hơn 25 loại thiết bị vi sóng công suất cao dựa trên gali nitrua trên cacbua silic trong vỏ kim loại-gốm, được sản xuất hàng loạt và tiêu thụ trong ngành với tổng khối lượng 25-30 nghìn chiếc. trong năm.
Danh pháp của NIIET JSC trong lĩnh vực thiết bị vi sóng dựa trên GaN bao gồm cả bóng bán dẫn mạnh mẽ, xung và liên tục, và bộ khuếch đại công suất dựa trên chúng, được làm trong hộp bóng bán dẫn và được kết hợp ở đầu vào và đầu ra để hoạt động trong mạch có trở kháng 50 Ohm . Các tần số được bao phủ bởi các bóng bán dẫn GaN của công ty bao gồm các dải L-, S-, C- và X (1 đến 12 GHz) và công suất xung của các thiết bị này đạt 400 W.
Các bóng bán dẫn chuyển mạch nguồn thường đóng của NIIET JSC đáng được quan tâm đặc biệt. Thông thường, các bóng bán dẫn GaN chính ở trạng thái mở ở điện áp bằng không tại cổng, và để đóng chúng, cần phải áp dụng phân cực âm cho cổng. Các bóng bán dẫn thường đóng của cấu trúc cải tiến hoạt động ở chế độ làm giàu và ở trạng thái đóng ở điện áp cổng bằng không, và mở khi điện áp đặt vào cổng trên một ngưỡng nhất định. Thuộc tính này đơn giản hóa đáng kể mạch trình điều khiển.
Trong lĩnh vực bóng bán dẫn chuyển mạch nguồn, Viện đã phát triển các thiết bị dựa trên gali nitrua trên silic với điện áp đánh thủng nguồn từ 100 đến 450 V, dòng xả trực tiếp từ 20 đến 40 A và dòng chảy xung từ 50 đến 115 A.
Hiện tại, các bóng bán dẫn gallium nitride có điện áp đánh thủng nguồn thoát nước là 600 V. Đang được phát triển. Đạt được giá trị này về mặt chất lượng sẽ mở rộng phạm vi của các thiết bị này: các bóng bán dẫn này có thể được sử dụng để chuyển đổi trực tiếp điện áp nguồn 220 V trong nguồn điện, tính toán biên độ điện áp sự cố cần thiết.
Tất cả mọi người đều có thể sử dụng công nghệ
Như đã nói, hiện tại, các bóng bán dẫn của NIIET JSC được sản xuất trong các hộp sứ kim loại. Giải pháp này, do độ tin cậy và khả năng chống lại các tác động bên ngoài, trước đây đã được sử dụng trong các thiết bị quân sự và mục đích đặc biệt, nhưng trong thị trường dân sự, đặc biệt là thị trường tiêu dùng, nó thường không có tính cạnh tranh do giá thành cao.
Hiện Viện đang coi thị trường dân dụng là một ưu tiên. Đặc biệt, điều này là do những phát triển mới trong bóng bán dẫn điện dựa trên công nghệ của nitrua gali trên silicon, giúp giảm giá thành của tinh thể. Để giảm hơn nữa giá thành của các sản phẩm này và khả năng cạnh tranh thực sự của chúng, kể cả trên thị trường tiêu dùng, chắc chắn cần phải đóng gói các tinh thể bóng bán dẫn trong các hộp nhựa.
Tại xí nghiệp, công việc đang được tiến hành để tổ chức một bộ phận mới cho bao bì bằng nhựa. Công tác tiền dự án đã được triển khai, hình thái kỹ thuật, tài chính và kinh tế của dự án tái vũ trang đã được hình thành. Việc sản xuất hàng loạt các sản phẩm sẽ bắt đầu vào nửa cuối năm 2022. Tại địa điểm mới, ngoài các sản phẩm hiện đang có nhu cầu trên thị trường dân dụng như vi điều khiển và các mạch tích hợp khác, các linh kiện rời do doanh nghiệp phát triển cũng sẽ được lắp ráp và các bóng bán dẫn gallium nitride đa năng cũng không phải là ngoại lệ. Sau đó, những thiết bị này sẽ được cung cấp cho nhiều nhà phát triển, bao gồm cả những người tạo ra các sản phẩm gia dụng và tiêu dùng, đồng thời sẽ giúp họ tạo ra các giải pháp thực sự cạnh tranh trong thị trường phức tạp này không chỉ về đặc tính kỹ thuật mà còn về giá cả. .
Con chim đã ở trong tay!
Cho dù mô tả tích cực thế nào về những ưu điểm của công nghệ và khả năng của doanh nghiệp, bạn luôn muốn tận mắt chứng kiến những gì mà tất cả những điều này mang lại, để cầm trên tay thành phẩm. Và NIIET đã sẵn sàng để chứng minh những gì có thể được thực hiện bằng công nghệ GaN.
Vào năm 2021, các kỹ sư của công ty đã phát triển một bộ sạc đa năng sử dụng bóng bán dẫn chuyển đổi nguồn gallium nitride, được thiết kế để sạc nhiều loại thiết bị tiêu dùng, từ điện thoại thông minh đến máy tính xách tay. Sự phát triển này được thực hiện bởi Viện ở cấp độ phần cứng và hiện tại nó sử dụng các chất tương tự được nhập khẩu của bóng bán dẫn NIIET: thật không may, vỏ kim loại gốm, như đã đề cập, không cho phép mức giá cạnh tranh. Tuy nhiên, với sự phát triển của bao bì bằng nhựa, doanh nghiệp có kế hoạch thay thế các bóng bán dẫn gallium nitride trong thiết bị này bằng các thiết bị có thiết kế riêng.
Thiết bị này thể hiện rõ ràng những lợi ích của công nghệ GaN. Nhờ cô ấy, người ta mới có thể đạt được công suất đầu ra của bộ chuyển đổi là 65 W, mặc dù thực tế là kích thước tổng thể của nó tương đương với kích thước của bộ sạc thông thường dành cho điện thoại thông minh.
Đồng thời, đây có thể là một ví dụ điển hình về cách phát triển trong nước có thể tìm được vị trí thích hợp trên thị trường tiêu dùng. Mặc dù thiết bị này không phải là duy nhất trên thị trường, nhưng các nhà sản xuất nước ngoài đã bắt đầu cung cấp bộ sạc như vậy tương đối gần đây, vì vậy sự phát triển của NIIET hoàn toàn có khả năng chiếm vị trí xứng đáng trong số đó. Thiết bị đã có sẵn để đặt hàng và có thể dùng như một món quà tặng của công ty, đặc biệt là vì các hình ảnh bổ sung có thể được áp dụng cho nó, chẳng hạn như logo công ty. Và trong tương lai gần, nó cũng sẽ có sẵn để mua trên các chợ nổi tiếng.
Ngoài ra, trong năm qua, viện đã bắt đầu phát triển và đã trình diễn một trạm ghép mẫu thử nghiệm cho hội nghị truyền hình với một bộ chức năng độc đáo, chẳng hạn như xoay trạm bằng cách chạm vào vòng cảm ứng, theo dõi vị trí của người nói bằng điểm đánh dấu và nguồn âm thanh, cũng như thiết bị được kết nối sạc không dây, được thực hiện bằng bóng bán dẫn GaN.
Doanh nghiệp có kế hoạch phát triển hơn nữa dòng sản phẩm dân dụng, bao gồm việc sử dụng các thiết bị gali nitride theo thiết kế của riêng mình. Vì vậy, tại cuộc thi ý tưởng kinh doanh vừa hoàn thành do NIIET tổ chức trong khuôn khổ Ngày hội Voronezh lần thứ nhất của StartET về Điện tử, Khoa học và Robot, một trong những giải thưởng đã thuộc về dự án của một sinh viên về bộ sạc không dây cho xe điện, có thể truyền tải điện từ xa. 6,5 kW, thích hợp để triển khai sử dụng các thiết bị điện dựa trên GaN. Dự án này là một trong những dự án mà công ty đang tiếp tục phát triển.
Và trên bầu trời là gì?
Vì vậy, công nghệ gallium nitride có tiềm năng to lớn trong các lĩnh vực ứng dụng đầy hứa hẹn khác nhau, và JSC NIIET có một tồn đọng đáng kể trong lĩnh vực vi ba công suất cao và bóng bán dẫn GaN chuyển đổi nguồn. Toàn bộ dây chuyền thiết bị đã được sản xuất hàng loạt và năm tới công ty có kế hoạch làm chủ bao bì bằng nhựa, điều này sẽ mở rộng phạm vi các thiết bị của viện, bao gồm cả thị trường dân sự.
Nhưng có một vấn đề vẫn đang chờ được giải quyết. Hiện tại, không có doanh nghiệp nào ở Nga có khả năng sản xuất tinh thể hàng loạt bằng công nghệ gali nitrua trên silic, nên việc sản xuất tinh thể phải đặt tại các nhà máy nước ngoài.
Công ty cổ phần "NIIET" gần đây đã hoàn thành việc xây dựng các phòng sạch mới, nơi thiết bị sản xuất tinh thể của các thiết bị bán dẫn, bao gồm cả lò vi sóng, đã được giới thiệu. Địa điểm này cũng có thể trở thành cơ sở để tổ chức sản xuất sau tăng trưởng nối tiếp của một chu kỳ đầy đủ bằng cách sử dụng công nghệ GaN-Si: đối với điều này, cần phải trang bị cho nó khoảng hai chục cơ sở lắp đặt. Các khoản đầu tư cần thiết cho việc này là tương đối nhỏ theo tiêu chuẩn của sản xuất vi điện tử, nhưng chúng vẫn quá lớn đối với một doanh nghiệp riêng lẻ. Vì vậy, hiện nay, việc phát triển sản xuất theo hướng GaN-Si là vấn đề về nguồn kinh phí.
Nếu vấn đề này có thể được giải quyết, câu đố sẽ được hoàn thành hoàn toàn và toàn bộ chu trình của công nghệ gali nitride trên silicon sẽ được tạo ra trên cơ sở của Viện Voronezh: từ việc phát triển các thiết bị bán dẫn, tinh thể sau tăng trưởng và sản xuất lắp ráp linh kiện điện tử và việc tạo ra thiết bị dựa trên nó.
Bên cạnh thiết bị kiểm tra dùng cho quá trình gia công chip, JSC NIIET cũng đã sản xuất sản phẩm bóng bán dẫn (transistor) dựa trên gallium nitride (GaN) của NIIET, như các bài đoạn trích trên Hiện nay radar của Su-57 vẫn là dùng vật liệu GaAs. Dự kiến trong tương lai, bản nâng cấp của máy bay này sau khi đã nâng cấp động cơ của nó lên AL-51, thì bản nâng cấp tiếp theo sẽ là radar với vật liệu GaN
Một số bóng bán dẫn do Viện Nghiên cứu Kỹ thuật Điện tử (thuộc Tập đoàn Element) phát triển đã được đưa vào Sổ đăng ký Sản phẩm Công nghiệp Nga (RF PP số 719) và Sổ đăng ký Thống nhất Sản phẩm Điện tử Vô tuyến (RF PP số 878) của Bộ Công nghiệp và Thương mại Nga. Trong số đó có các bóng bán dẫn vi sóng công suất cao dựa trên gali nitride (GaN) thuộc dòng PP9136A, PP9137A, PP9138A, PP9139A1, PP9139B1, PP9170E, cũng như bóng bán dẫn LDMOS tuyến tính công suất cao KP9171BS.
Các bóng bán dẫn vi sóng gali nitride công suất cao được thiết kế cho các tầng khuếch đại ở các dải tần L, S và C. Do các thông số ký sinh thấp, chúng có các đặc tính hiệu suất được cải thiện và được sử dụng trong các hệ thống có yêu cầu hiệu suất năng lượng cao, bao gồm cơ sở hạ tầng CNTT và thiết bị viễn thông.
Spoiler
Click để xem chi tiết
JSC NIIET đã tiến hành nghiên cứu trong lĩnh vực ứng dụng gali nitride trong điện tử công suất và vi sóng từ năm 2012 và hiện vẫn là nhà sản xuất hàng loạt duy nhất các bóng bán dẫn GaN mạnh mẽ do chính công ty thiết kế tại Nga. Hiện tại, công ty đã cung cấp cho khách hàng hơn 30.000 thiết bị như vậy. Viện đã thiết lập một chu trình phát triển và sản xuất đầy đủ các thiết bị GaN, bao gồm cả kiểm tra và thử nghiệm cuối cùng, dịch vụ báo chí của NIIET đưa tin.
KP9171BS là bóng bán dẫn Doggerty đầu tiên của Nga, tương tự như mẫu BLF989E của Ampleon. Các bóng bán dẫn LDMOS vi sóng mạnh mẽ do JSC NIIET sản xuất đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt để vận hành trong các máy phát DVB-T/DVB-T2, mang lại độ lợi cao, hiệu suất và tính tuyến tính của đặc tính truyền.
Mục đích chính của bóng bán dẫn là khuếch đại tín hiệu truyền hình, nhưng các đặc tính tiên tiến của chúng cho phép chúng được sử dụng trong các lĩnh vực khác như hệ thống radar, thiết bị định vị và giải pháp viễn thông.
Transistor GaN TNG-K 65020P, do JSC NIIET (thuộc Element Group) phát triển, đã chứng minh được hiệu quả của chúng trong công nghệ chuyển đổi năng lượng. Các thử nghiệm do Engineering Solutions và Đại học Kỹ thuật Quốc gia Novosibirsk thực hiện đã chứng minh rằng các sản phẩm này có thể được sử dụng trong các bộ nguồn có mật độ công suất cao và tần số lên đến 10 MHz.
Các chuyên gia đã ghi nhận những ưu điểm của công nghệ GaN: kích thước nhỏ gọn, tần số hoạt động cao và tản nhiệt hiệu quả. Theo dịch vụ báo chí của NIIET, các bóng bán dẫn này phù hợp để sử dụng trong bộ sạc, hệ thống điều khiển động cơ điện, robot và ngành công nghiệp vũ trụ.
Sự phát triển của JSC NIIET cho phép các công ty ngay lập tức bắt đầu sản xuất các mô-đun điện tử dựa trên GaN, bỏ qua khâu R&D tốn kém. Công ty đã phát triển công nghệ này trong hơn 10 năm.
Nhà sản xuất vi điện tử lớn nhất của Nga đang đầu tư 4,4 tỷ đô la vào sản xuất bóng bán dẫn điện.
Ngày 18 tháng 7 năm 2025
Element Group sẽ đầu tư 4,4 tỷ rúp vào việc sản xuất bóng bán dẫn điện gali nitride tại cơ sở NIIET ở Voronezh để bổ sung năng lực hiện có và tạo ra cơ sở sản xuất bóng bán dẫn GaN chu trình hoàn chỉnh đầu tiên của Nga.
Hàng tỷ khoản đầu tư Tập đoàn Element, nhà sản xuất vi điện tử lớn nhất của Nga , đang đầu tư 4,4 tỷ rúp vào việc sản xuất bóng bán dẫn điện gali nitride (GaN) tại một trong những cơ sở của mình, Viện nghiên cứu khoa học công nghệ điện tử (NIIET) ở Voronezh , Kommersant đã biết .
Công suất thiết kế dự kiến của cơ sở sản xuất mới là 5,5 nghìn tấm wafer tương đương 200mm mỗi năm.
Dự án sử dụng nguồn tài chính ưu đãi được bảo đảm thông qua Nền tảng Đầu tư Cụm (CIP). Một trong những mục tiêu của CIP, do Quỹ Phát triển Công nghiệp ( IDF ) điều hành, là cung cấp các khoản vay ưu đãi cho các doanh nghiệp công nghiệp Nga để thực hiện các dự án đầu tư sản xuất các sản phẩm ưu tiên, như đã nêu trên trang web của IDF.
Sản xuất toàn chu kỳ Một đại diện của Element cho biết, việc triển khai dự án sẽ bổ sung cho năng lực hiện có của NIIET trong việc lắp ráp bóng bán dẫn GaN chuyển mạch điện và vi sóng với sản xuất tinh thể các linh kiện điện tử sử dụng gali nitride và tạo ra chu trình sản xuất bóng bán dẫn GaN hoàn chỉnh đầu tiên của Nga.
Viện nghiên cứu khoa học công nghệ điện tử ở Voronezh dự kiến sẽ thành lập một cơ sở sản xuất chu trình hoàn chỉnh cho bóng bán dẫn GaN.
NIIET là một trong những nhà cung cấp linh kiện điện tử lớn nhất của Nga , danh mục sản phẩm của họ bao gồm bóng bán dẫn GaN trên silicon—không ai khác sản xuất loại bóng này ở Nga.
Một đại diện của Element chia sẻ với ấn phẩm này rằng chuyên môn hiện có của công ty trong sản xuất hàng loạt các thiết bị điện gali nitride là lý do công ty chọn NIIET làm địa điểm sản xuất tinh thể.
Nhờ các đặc tính của mình, gali nitride cho phép tạo ra các bóng bán dẫn hoạt động ở nhiệt độ cao hơn, tần số cao hơn, mật độ công suất và hiệu suất năng lượng lớn hơn so với các thiết bị làm từ silicon .
Một phần của tập đoàn Element NIIET đã và đang hiện đại hóa các cơ sở sản xuất của mình trong một thời gian khá dài. Ví dụ, năm 2016, viện đã khánh thành một cơ sở sản xuất linh kiện điện tử, và năm năm sau, viện đã hiện đại hóa cơ sở sản xuất tinh thể để sản xuất mạch tích hợp quy mô cực lớn ( VLSI ) và bóng bán dẫn vi sóng công suất cao.
Vào mùa thu năm 2024, NIIET đã ra mắt dây chuyền lắp ráp linh kiện điện tử mới trong vỏ kim loại-polymer hiện đại. Chi phí xây dựng và trang thiết bị khoảng 790 triệu rúp. Element đã nhận được 616 triệu rúp trong số tiền này dưới dạng khoản vay ưu đãi từ Quỹ Phát triển (FRD) theo chương trình "Linh kiện".
Element Group cũng sở hữu Mikron , tự nhận mình là "nhà sản xuất chip số 1 của Nga". Tập đoàn này được thành lập vào năm 2019 bằng cách sáp nhập các tài sản trước đây thuộc sở hữu của Rostec và AFK Sistema . Mục tiêu của tập đoàn là thiết lập một trung tâm xuất sắc quốc gia thống nhất về sản xuất linh kiện vi điện tử và đảm bảo chủ quyền công nghệ của Nga trong lĩnh vực này.
Dựa trên kết quả kinh doanh nửa đầu năm 2024, Tập đoàn Element báo cáo doanh thu đạt 19,8 tỷ rúp, tăng 29% so với cùng kỳ năm 2023. Tăng trưởng doanh thu trong lĩnh vực kinh doanh cốt lõi - linh kiện điện tử - đạt 32%. Nợ ròng của tập đoàn giảm 74%, xuống còn 2,3 tỷ rúp.
Chi tiêu vốn của tập đoàn trong sáu tháng đầu năm 2024 đạt 5,2 tỷ rúp, trong khi một năm trước đó con số này là 2,8 tỷ rúp.
Sherbank thêm hỗ trợ chuẩn kiến trúc chip RISC-V vào SberOS - bản hệ điều hành kiểu Linux của chính họ. Phiên bản hệ điều hành hỗ trợ RISC-V được gọi là phiên bản đặc biệt. Sberbank vẫn đang dùng hệ điều hành này trên các máy tính của họ.
Sberbank đã phát hành phiên bản đặc biệt của hệ điều hành SberOS hỗ trợ kiến trúc RISC-V.
Ngày 30 tháng 7 năm 2025, 1:01 chiều
Sber đã bổ sung hỗ trợ cho kiến trúc RISC-V vào hệ điều hành SberOS. Bước đi quan trọng này sẽ mở rộng chức năng của hệ thống và tiếp tục nỗ lực của Sber trong việc giải quyết các thách thức về thay thế nhập khẩu .
SberOS là hệ điều hành máy tính để bàn được phát triển từ đầu, tập trung vào các tiêu chuẩn cao về bảo mật, độ tin cậy và khả năng tương thích với phần cứng hiện đại. Hệ điều hành này tạo thành nền tảng cho cơ sở hạ tầng người dùng của Sber. Việc tích hợp hỗ trợ chuẩn RISC-V giúp mở rộng khả năng của hệ thống, cho phép hệ thống chạy trên các bộ xử lý được xây dựng trên một trong những kiến trúc mở tiên tiến nhất.
Kirill Menshov , Phó Chủ tịch Cấp cao kiêm Trưởng phòng Công nghệ tại Sberbank, cho biết: "Việc ra mắt SberOS trên RISC-V là một bước tiến quan trọng hướng tới chủ quyền công nghệ và sự phát triển của bối cảnh CNTT Nga . Sáng kiến này nhấn mạnh tầm nhìn của Sber về một tương lai, nơi các tiêu chuẩn mở, quyền tự do lựa chọn và đổi mới là động lực chính cho sự tiến bộ trong lĩnh vực điện toán."
RISC-V là một kiến trúc mở hiện đại . Không giống như các kiến trúc độc quyền truyền thống, RISC-V có sẵn cho tất cả mọi người—nó có thể được sử dụng, sửa đổi và triển khai miễn phí mà không cần trả phí bản quyền.
Động cơ plasma được phát triển bởi công ty STAR (Công nghệ Vệ tinh và Phát triển Thiên văn) có trụ sở tại Moscow. Sản phẩm này nổi bật với độ an toàn cao, nhỏ gọn, tiêu thụ năng lượng thấp và khả năng mở rộng cho toàn bộ các loại tàu vũ trụ nhỏ và siêu nhỏ. Tỷ lệ nội địa hóa sản xuất đạt 85%.
Vào ngày 25 tháng 7 năm 2025, một tên lửa Soyuz đã được phóng từ Sân bay vũ trụ Vostochny. Nó sẽ đưa CubeSat 239Alferov lên quỹ đạo - một vệ tinh khoa học và giáo dục siêu nhỏ được thiết kế để nghiên cứu các nguồn tia gamma xung có nguồn gốc từ ngoài thiên hà, thiên hà, mặt trời và trái đất. Dữ liệu thu được sẽ cho phép chúng ta tìm hiểu thêm về các quá trình xảy ra trên bề mặt của các ngôi sao và trong không gian sâu thẳm.
Động cơ được phát triển sẽ chịu trách nhiệm định vị chính xác vệ tinh trong không gian: hiệu chỉnh quỹ đạo, thực hiện các thao tác, xây dựng các chòm sao đa vệ tinh trên quỹ đạo, đưa thiết bị ra khỏi quỹ đạo khi hết thời gian sử dụng, giải quyết vấn đề rác vũ trụ.
Ngành công nghiệp hàng không vũ trụ của Moscow được đại diện bởi hơn 40 doanh nghiệp, trung tâm khoa học kỹ thuật, phòng thí nghiệm và viện nghiên cứu, với hơn 30.000 nhân viên. Hàng loạt sản phẩm công nghệ cao được sản xuất, từ cáp siêu nhẹ đến xe phóng và linh kiện tàu vũ trụ. Danh mục sản phẩm không ngừng mở rộng. Ví dụ, việc sản xuất pin năng lượng mặt trời cho tàu vũ trụ gần đây đã được triển khai tại địa điểm Pechatniki thuộc Khu kinh tế đặc biệt Technopolis Moscow.
Công ty Cổ phần Nhà máy Cơ điện Kizlyar đã bắt đầu thử nghiệm trên mặt đất mẫu trực thăng AP-55 mới nhất.
Giai đoạn hiện tại bao gồm thử nghiệm nguyên mẫu chuyến bay được phát triển trong khuôn khổ chương trình thay thế nhập khẩu. Các thử nghiệm ban đầu đang được tiến hành mà không có cánh quạt, nhưng sẽ tiếp tục lắp đặt trong những ngày tới. Trong quá trình thử nghiệm, máy bay cũng sẽ được kiểm tra độ rung, tiếp theo là thử nghiệm các cảm biến hệ thống dẫn đường. Các giai đoạn tiếp theo sẽ bao gồm các chuyến bay tiếp cận và bay ở độ cao thấp.
Nguyên mẫu AP-55 đã được thử nghiệm vào tháng 10 năm ngoái và được giới thiệu tại triển lãm công nghiệp trực thăng quốc tế HeliRussia.
Sau khi được chứng nhận thành công, AP-55 sẽ có khả năng thực hiện nhiều nhiệm vụ khác nhau, bao gồm tuần tra, vận chuyển y tế, và sử dụng cho mục đích cá nhân hoặc doanh nghiệp. Trực thăng có thể chở tối đa năm người, tải trọng lên đến 600 kg và tốc độ bay hành trình 240 km/h.
JSC Concern KEMZ là một doanh nghiệp quốc phòng chuyên sản xuất trực thăng, máy bay và các loại máy bay khác.
Nhà máy AVRORA đã phát triển một máy chiết xuất công nghiệp đa năng để chiết xuất dầu thực vật từ nhiều nguyên liệu thô khác nhau, bao gồm hạt nho và hạt hướng dương.
Hệ thống bao gồm một lò phản ứng 50 lít với hệ thống gia nhiệt có khả năng gia nhiệt đến 80°C, một máy định lượng và một thiết bị nâng hạ bằng tời điện. Quá trình chiết xuất bao gồm việc đưa dung môi ngược dòng vào nguyên liệu đầu vào.
Thiết bị được trang bị bơm định lượng nhu động, đảm bảo đóng gói chính xác các sản phẩm dạng lỏng và dạng nhớt với thể tích từ 50 đến 12.000 ml. Theo agroreport.ru, bơm có chức năng đảo ngược để thay đổi hướng dòng chảy của chất lỏng.
Sự phát triển mới này sẽ cho phép các công ty trong ngành dầu mỡ tối ưu hóa quy trình sản xuất và tăng hiệu quả chế biến nguyên liệu thô có nguồn gốc thực vật.
Tại đặc khu kinh tế Technopolis Moscow, một công ty cư dân của đặc khu kinh tế này đã bắt đầu sản xuất một loại thuốc điều trị các dạng bệnh thận mãn tính nghiêm trọng. Thuốc này, dựa trên một chất tương tự vitamin D tổng hợp, có dạng viên nang gelatin và dành cho bệnh nhân suy thận.
Hoạt động sản xuất được tổ chức tại nhà máy R-Opra, một phần của Tập đoàn R-Pharm. Công ty đảm nhiệm toàn bộ chu trình phát triển thuốc, từ tổng hợp hoạt chất đến sản xuất dạng bào chế thành phẩm. Tổng vốn đầu tư cho việc phát triển năng lực sản xuất lên tới 8,7 tỷ rúp.
Trong những năm tới, công ty có kế hoạch mở rộng dòng sản phẩm. Bắt đầu từ năm 2026, công ty sẽ bắt đầu cung cấp thuốc điều trị bệnh tiểu đường, tim mạch, thần kinh, thấp khớp, cũng như viêm loét đại tràng, theo thông tin từ dịch vụ báo chí của Thị trưởng Moscow.
Trung tâm NTR thuộc Khu kinh tế đặc biệt Tomsk đã ra mắt máy bay không người lái mới, "Sinilga", được thiết kế để kiểm tra an toàn các cơ sở công nghiệp. Thiết bị đã vượt qua các bài kiểm tra thành công, bao gồm cả tại xưởng gia công kim loại của một đơn vị khác thuộc Khu kinh tế đặc biệt, Chợ Tekhnologiya.
Máy bay không người lái được thiết kế để phát hiện các khuyết tật về kết cấu như nứt, ăn mòn và biến dạng. Nó có thể kiểm tra những khu vực khó tiếp cận ở trên cao và dưới mái nhà, nơi các phương pháp kiểm tra truyền thống đòi hỏi các biện pháp phòng ngừa an toàn cao hơn.
Theo nhà phát triển, Sinilga nhỏ gọn hơn 20% so với phiên bản Elios 3, và khung của nó cũng đóng vai trò như một khung bảo vệ, cải thiện khả năng cơ động và độ tin cậy. Cấu hình cơ bản của máy bay không người lái bao gồm camera 4K với chức năng ổn định hình ảnh và hệ thống chiếu sáng, theo dịch vụ báo chí của SEZ.RF.
Một tính năng quan trọng là phần mềm Navi.NTR chuyên dụng, sử dụng công nghệ thị giác máy tính AI để đảm bảo định vị chính xác trong không gian hạn chế. Thời lượng pin lên đến 10 phút.
Công ty nhấn mạnh rằng máy bay không người lái này tuân thủ các quy định kỹ thuật của Liên minh Hải quan và tiêu chuẩn GOST của Nga. Sinilga hiện đang được sản xuất hàng loạt và sẵn sàng sử dụng tại các cơ sở công nghiệp.
Thông tin bổ sung:
Các tài liệu dưới này nói về phần mềm Navi NTR chuyên dụng, sử dụng công nghệ thị giác máy tính AI để đảm bảo định vị chính xác trong không gian hạn chế. Phần mềm này do Công ty NTR (Научно-Техническое Развитие) của Nga phát triển, và nó đã được đưa vào danh mục phần mềm Nga (реестр российского ПО) từ tháng 10/2024, và được phát triển tại Tomsk và Moscow.
Công ty NTR chuyên về các giải pháp AI cho công nghiệp, bao gồm điều hướng UAV, thị giác máy tính, và hệ thống số hóa cho khai khoáng, luyện kim, và sản xuất.
Các điểm nổi bật của phần mềm Navi.NTR đó là
- Hoạt động không cần GPS, phù hợp cho môi trường kín hoặc nhiều kim loại.
- Định vị 6 bậc tự do (6DOF) bằng cách xử lý hình ảnh từ một hoặc nhiều camera.
- Tạo bản đồ 3D (point cloud) và cập nhật liên tục trong quá trình vận hành.
- Ứng dụng cho drones kiểm kê kho, robot khai thác hầm mỏ, và các thiết bị tự động trong công nghiệp.
Phương Tây cũng có sản phẩm tương tự dựa trên SLAM, gọi là SLAM-based navigation. Tuy nhiên, chúng hướng đến các mục tiêu khác nhau.
Phần mềm Navi.NTR của Nga được thiết kế để thay thế hệ thống Total Station Navigation trong khai khoáng và kho công nghiệp, tập trung vào chi phí thấp và khả năng hoạt động trong môi trường khắc nghiệt, trong khi sản phẩm dựa trên SLAM phương Tây hướng đến đa dụng (robot, xe tự lái, AR/VR) và thường yêu cầu phần cứng đắt tiền như LiDAR.
Sản phẩm UAV này rõ ràng dùng được cả trong vận tải quân sự và dân sự
Một loại máy bay không người lái tàng hình độc đáo, Ilya Muromets, được làm bằng vật liệu composite đã được phát triển ở Nga. Ngày 27 tháng 7 năm 2025
Chiếc UAV này có khả năng tải trọng lên tới 100 kg, được thiết kế để sơ tán người bị thương. Các kỹ sư Nga đang nghiên cứu một máy bay không người lái hạng nặng, Ilya Muromets, để sơ tán khẩn cấp những người bị thương nặng. Phương tiện này sẽ sử dụng công nghệ tàng hình để giảm khả năng hiển thị trong phạm vi hồng ngoại và radar.
Ông Andrey Bratenkov, Giám đốc Điều hành của Cục Thiết kế Spektr, cho biết phương tiện mới sẽ có tải trọng khoảng 100 kg. Các chuyên gia dự kiến sẽ đưa nạn nhân vào các container composite với hệ thống hỗ trợ sự sống.
Để giảm thiểu khả năng bị phát hiện, công ty dự định sử dụng công nghệ tàng hình mới nhất - một lớp phủ polymer đặc biệt. Các thử nghiệm sẽ bao gồm thử nghiệm máy bay không người lái với tải trọng lên đến 100 kg, và sau đó là 200 kg.
Một thuật toán thông minh từ các chuyên gia MEPhI sẽ đẩy nhanh hoạt động cứu hộ tàu ở Bắc Cực.
Ngày 27 tháng 7 năm 2025
Một hệ thống mới tối ưu hóa tuyến đường tàu phá băng, giảm thời gian tiếp cận tàu mắc cạn.
Các chuyên gia từ Đại học Nghiên cứu Hạt nhân Quốc gia MEPhI (Viện Vật lý Kỹ thuật Moscow) đã trình bày một hệ thống lập kế hoạch tuyến đường thông minh cho tàu phá băng Bắc Cực. Phát triển này, do Khoa Tin học Kinh doanh và Quản lý Hệ thống Phức hợp thực hiện, đã được công nhận tại Cuộc thi Kỹ thuật Toàn Nga năm 2025.
Hệ thống phân tích các điều kiện băng - độ dày, mật độ và hướng di chuyển của băng. Thuật toán sẽ tính đến các điều kiện thời tiết, bao gồm sức gió, nhiệt độ không khí và tầm nhìn. Các đặc điểm kỹ thuật của bản thân tàu phá băng - công suất, độ mớn nước và khả năng phá băng - cũng được xem xét.
Cốt lõi là hệ thống quản lý cơ sở dữ liệu đồ thị Neo4j, xử lý tất cả thông tin này và tính toán tuyến đường hiệu quả nhất. Mô-đun học máy đặc biệt hữu ích. Nó liên tục tinh chỉnh thuật toán bằng cách nghiên cứu các quyết định của thuyền trưởng giàu kinh nghiệm trong những tình huống tương tự. Theo ước tính sơ bộ, tự động hóa sẽ giúp giảm thời gian phản ứng khẩn cấp từ 15-20%. Các lợi ích bổ sung bao gồm tiết kiệm nhiên liệu và cải thiện an toàn vận hành.
Dự án đã thu hút sự quan tâm của công ty kỹ thuật "Bureau Hyperborea", đơn vị vận hành đội tàu phá băng. Quá trình đăng ký chính thức cho cơ sở dữ liệu hiện đang được tiến hành. Tổng giám đốc Rosatom, Alexey Likhachev, đánh giá cao tầm quan trọng của những phát triển này, lưu ý rằng các dự án như vậy đóng góp đáng kể vào việc củng cố chủ quyền công nghệ của đất nước và củng cố vị thế của Nga tại khu vực Bắc Cực.
Rostec đã ra mắt thiết bị thông khí phổi nhân tạo di động mới, Mobivent ARM
17.07.2025
Thiết bị này nhỏ gọn, có tính di động cao và có thể được sử dụng trong vận chuyển y tế cũng như trong bệnh viện dã chiến.
Công ty Công nghệ Vô tuyến Điện tử (KRET), một đơn vị trực thuộc Tập đoàn Nhà nước Rostec, đã nhận được giấy chứng nhận đăng ký từ Roszdravnadzor cho thiết bị thông khí phổi nhân tạo di động "Mobivent ARM". Kích thước nhỏ gọn và tính cơ động cao của thiết bị này giúp nó phù hợp để sử dụng trong vận chuyển y tế và bệnh viện dã chiến. Việc sản xuất hàng loạt thiết bị sẽ bắt đầu vào cuối năm nay.
Ảnh: Công nghệ vô tuyến điện tử
Mobivent ARM nhỏ gọn và nhẹ, được phát triển bởi Nhà máy Chế tạo Dụng cụ Ural (thuộc KRET), có thể được lắp đặt trên bất kỳ bề mặt nằm ngang nào bằng các giá đỡ và chốt được thiết kế đặc biệt. Dòng sản phẩm này có hai phiên bản: Mobivent ARM-T, dùng trong vận chuyển y tế, và Mobivent ARM-M. Phiên bản sau được thiết kế để lắp đặt trên các giá đỡ đặc biệt có bánh xe và được bảo vệ khỏi trường điện từ, cho phép sử dụng trong phòng chụp cộng hưởng từ (MRI). Mobivent ARM-M cũng có thể được sử dụng trong bệnh viện, bao gồm cả vận chuyển bệnh nhân nội viện. Hiện tại, trên thị trường chưa có sản phẩm tương đương sản xuất trong nước nào của Mobivent ARM-M.
Thiết bị được phát triển với sự hợp tác chặt chẽ với cộng đồng y tế, giúp nó trở nên tiện dụng và thân thiện với người dùng nhất có thể. Màn hình cảm ứng hoạt động ngay cả khi đeo găng tay y tế.
"Tập đoàn Nhà nước Rostec đặc biệt chú trọng đến việc phát triển và sản xuất thiết bị y tế. Các công ty của chúng tôi sản xuất 150 loại thiết bị y tế và không ngừng mở rộng danh mục sản phẩm. Việc ra mắt máy thở nhỏ gọn sản xuất trong nước của KRET sẽ thay thế các sản phẩm nhập khẩu tương đương. Hàng chục máy thở ARM Mobivent sẽ được sản xuất vào cuối năm nay. Chúng tôi dự kiến sản xuất 100 máy mỗi năm. Thiết bị này có thể được lắp đặt ở bất cứ đâu và triển khai nhanh chóng trong mọi môi trường, từ phòng chụp cộng hưởng từ (MRI) đến bệnh viện dã chiến", Rostec nhấn mạnh.
Nhờ tính công thái học và vẻ ngoài của mình, thiết bị này đã được trao giải thưởng "Thiết kế công nghiệp tốt nhất của Nga" năm 2024.
Mobivent ARM là một phần của dòng máy thở Mobivent cải tiến, được phát triển từ năm 2021 đến năm 2025. Dòng sản phẩm này bao gồm năm sản phẩm: máy thở Mobivent đa năng, Mobivent OXI cho liệu pháp oxy lưu lượng cao, Mobivent ARM di động, Mobivent NEO cho trẻ sơ sinh và Mobivent ULTRA hạng chuyên gia. Những máy thở Mobivent và Mobivent OXI đầu tiên đã được đăng ký vào cuối năm 2024, đánh dấu một bước tiến quan trọng trong việc mở rộng dòng sản phẩm.